是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 6.76 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 18 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 36 W |
最大功率耗散 (Abs): | 36 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 76 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 20.6 ns |
最大开启时间(吨): | 19.1 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTD20N06LT4G | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, N |
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NTD20N06T4G | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
Power MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTD5867NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m |
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NTD5867NLT4G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |
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NTD5C434NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,160A,2.1mΩ |
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NTD5C446NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,110A,3.2mΩ |
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NTD5C464NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,功率 MOSFET,40 V,59 A,5.8 mΩ |
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NTD5C632NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,60V,155A,2.5mΩ |
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NTD5C648NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,91A,4.1mΩ |
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NTD5C668NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,60V,48A,9.3mΩ |
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NTD5C684NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V |
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NTD5C688NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,60V,17A,27.4mΩ |
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