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NTD5862N

更新时间： 2024-11-19 01:20:55
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安森美 - ONSEMI /
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7页 86K
描述
N-Channel Power MOSFET

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NTD5862N 数据手册

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NTD5862N, NTP5862N  
N-Channel Power MOSFET  
60 V, 98 A, 5.7 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
www.onsemi.com  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant  
60 V  
5.7 mW @ 10 V  
98 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
D
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
20  
V
G
GS  
GS  
Gate−to−Source Voltage  
V
30  
V
− Non−Repetitive (t < 10 ms)  
S
4
p
Continuous Drain  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
98  
69  
A
4
C
D
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
Steady  
State  
T
C
Power Dissipation  
(R  
T
C
P
115  
W
D
4
)
q
JC  
1
2
3
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
335  
A
p
DM  
2
1
1
2
3
3
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
IPAK  
CASE 369D  
STYLE 2  
TO−220  
CASE 221A  
STYLE 5  
Source Current (Body Diode)  
I
S
96  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (L = 0.3 mH)  
E
205  
mJ  
AS  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
4
Drain  
4
4
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
Drain  
Drain  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
NTP  
5862NG  
AYWW  
Parameter  
Symbol  
Value  
1.3  
Unit  
2
Junction−to−Case (Drain)  
R
°C/W  
q
JC  
JA  
Drain  
1
3
1
Gate  
3
Gate Source  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
1. Limited by package to 50 A continuous.  
2. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces.  
R
37  
q
Source  
1
2
3
Gate Drain Source  
2
Drain  
A
Y
= Assembly Location*  
= Year  
WW  
= Work Week  
5862N = Device Code  
G
= Pb−Free Package  
* The Assembly Location code (A) is front side  
optional. In cases where the Assembly Location is  
stamped in the package, the front side assembly  
code may be blank.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
January, 2015 − Rev. 4  
NTD5862N/D  
 
1234567

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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