是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, IPAK-3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.28 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 36 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 38 A |
最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 137 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTD5865NT4G | ONSEMI |
功能相似 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m | |
NTD5865NLT4G | ONSEMI |
功能相似 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 mΩ |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTD5865NL | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 mΩ | |
NTD5865NL_14 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET | |
NTD5865NL-1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 mΩ | |
NTD5865NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 mΩ | |
NTD5865NLT4G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
NTD5865NT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 38 A, 18 m | |
NTD5867NL | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m | |
NTD5867NL-1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m | |
NTD5867NLT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m | |
NTD5867NLT4G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |