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NTD5C434NT4G

更新时间： 2023-09-03 20:38:58
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 231K
描述
单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，160A，2.1mΩ

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NTD5C434NT4G 数据手册

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NTD5C434N  
MOSFET – Power, Single,  
N-Channel  
40 V, 2.1 mW, 160 A  
Features  
• Low R  
www.onsemi.com  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
V
R
I
D
(BR)DSS  
DS(on)  
Compliant  
40 V  
2.1 mW @ 10 V  
160 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
D
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
"20  
160  
120  
120  
59  
V
GS  
Continuous Drain Cur-  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
A
C
D
rent R  
(Notes 1 & 3)  
G
q
JC  
T
C
Steady  
State  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T
C
P
W
A
q
D
JC  
JA  
S
T
C
= 100°C  
N−CHANNEL MOSFET  
Continuous Drain  
T = 25°C  
A
I
33  
D
Current R  
q
4
JA  
T = 100°C  
A
23  
(Notes 1, 2 & 3)  
Steady  
State  
Power Dissipation R  
(Notes 1 & 2)  
T = 25°C  
A
P
4.7  
W
q
D
2
1
3
T = 100°C  
A
2.4  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
900  
A
DPAK  
A
p
CASE 369C  
STYLE 2  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
130  
420  
A
S
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy (I  
= 25 A)  
L(pk)  
4
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Drain  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
2
Parameter  
Symbol  
Value  
1.3  
Unit  
Drain  
1
3
Gate Source  
Junction−to−Case (Drain) (Note 1)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
q
JC  
A
Y
WW  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
R
32  
q
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
5C434N= Device Code  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
G
= Pb−Free Package  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
May, 2019 − Rev. 0  
NTD5C434N/D  
 
1234567

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