5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.21 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD5P06V | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P−Channel DPAK |
|
| NTD5P06V-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P−Channel DPAK |
|
| NTD5P06VT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P−Channel DPAK |
|
| NTD60 | EDI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS |
|
| NTD600N80S3Z | ONSEMI |
获取价格 |
MOSFET – Power, N-Channel, SUPERFET® III, 800 |
|
| NTD60N02R | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
|
| NTD60N02R.1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 25 V, NâChannel, DPAK |
|
| NTD60N02R.1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 25 V, NâChannel, DPAK |
|
| NTD60N02R.35 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 25 V, NâChannel, DPAK |
|
| NTD60N02R.35G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 25 V, NâChannel, DPAK |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
