是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 5.68 |
雪崩能效等级(Eas): | 36 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 43 A | 最大漏极电流 (ID): | 38 A |
最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 71 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 137 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NTD5865NLT4G | ONSEMI |
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NTD5865N-1G | ONSEMI |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTD5867NL | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m |
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NTD5867NL-1G | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m |
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NTD5867NLT4G | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m |
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NTD5867NLT4G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 |
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NTD5C434NT4G | ONSEMI |
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单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,160A,2.1mΩ |
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NTD5C446NT4G | ONSEMI |
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单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,110A,3.2mΩ |
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NTD5C464NT4G | ONSEMI |
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N 沟道,功率 MOSFET,40 V,59 A,5.8 mΩ |
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NTD5C632NLT4G | ONSEMI |
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单 N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,60V,155A,2.5mΩ |
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NTD5C648NLT4G | ONSEMI |
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单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,91A,4.1mΩ |
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NTD5C668NLT4G | ONSEMI |
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单 N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,60V,48A,9.3mΩ |
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