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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD5867NLT4G
NTD5867NLT4G PDF预览

NTD5867NLT4G

更新时间： 2024-11-02 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
7页 135K
描述
N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m

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NTD5867NLT4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：DPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.91
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：226806Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369CSamacsys Released Date：2016-01-25 14:39:58
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：18 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：36 W最大功率耗散 (Abs)：36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：20.6 ns
最大开启时间（吨）：19.1 nsBase Number Matches：1

NTD5867NLT4G 数据手册

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NTD5867NL  
N-Channel Power MOSFET  
60 V, 20 A, 39 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
http://onsemi.com  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
V
R
MAX  
I MAX  
D
Compliant  
(BR)DSS  
DS(on)  
39 mW @ 10 V  
50 mW @ 4.5 V  
20 A  
18 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
60 V  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
D
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
"20  
"30  
V
GS  
GS  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
− Non−Repetitive (t < 10 ms)  
p
Continuous Drain  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
20  
13  
36  
A
C
D
Current (R  
)
G
q
JC  
Steady  
State  
T
C
Power Dissipation  
(R  
T
C
P
W
D
)
S
q
JC  
N−CHANNEL MOSFET  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
76  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
4
J
stg  
4
Source Current (Body Diode)  
I
20  
18  
A
S
2
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (V = 50 V, V = 10 V, R = 25 W,  
E
AS  
mJ  
1
3
1
DD  
GS  
G
2
I
= 19 A, L = 0.1 mH, T = 25°C)  
L(pk)  
J
3
DPAK  
IPAK  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
CASE 369AA  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
4
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain  
4
Drain  
Junction−to−Case (Drain)  
R
3.5  
45  
°C/W  
q
JC  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
q
JA  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces.  
2
Drain  
1
3
Gate Source  
1
2
3
Gate Drain Source  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
5867NL = Device Code  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
March, 2010 − Rev. 0  
NTD5867NL/D  
 
1234567

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NTD5867NLT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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