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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD5804NG
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NTD5804NG

更新时间： 2024-11-18 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 128K
描述
Power MOSFET 40 V, 69 A, Single N−Channel, DPAK

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NTD5804NG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：195 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：69 A最大漏极电流 (ID)：69 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：71 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：125 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD5804NG 数据手册

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NTD5804N  
Power MOSFET  
40 V, 69 A, Single N−Channel, DPAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Avalanche Energy Specified  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
Applications  
12 mW @ 5.0 V  
8.5 mW @ 10 V  
40 V  
69 A  
• CCFL Backlight  
• DC Motor Control  
• Class D Amplifier  
D
• Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
S
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
"20  
"30  
V
GS  
GS  
N−CHANNEL MOSFET  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
4
− Non−Repetitive (t < 10 mS)  
p
4
Continuous Drain  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
69  
49  
71  
A
C
D
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
Steady  
State  
T
C
2
1
3
1
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
C
P
W
D
2
3
q
JC  
DPAK  
DPAK  
CASE 369C  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
125  
A
p
DM  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
30  
A
S
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
195  
mJ  
Energy (V = 50 V, V = 10 V, R = 25 W,  
DD  
GS  
G
4
I
= 36 A, L = 0.3 mH, V = 40 V)  
L(pk)  
DS  
Drain  
4
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
Drain  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
2
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Drain  
1
3
Gate Source  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1
2
3
Gate Drain Source  
Junction−to−Case (Drain)  
R
2.1  
°C/W  
q
JC  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
106  
q
JA  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
5804N = Device Code  
G
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces.  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
March, 2009 − Rev. 0  
NTD5804N/D  
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD5804NT4G ONSEMI

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