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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD5807NG
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NTD5807NG

更新时间： 2024-02-21 09:13:42
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 129K
描述
Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

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NTD5807NG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：29.4 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：33 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD5807NG 数据手册

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NTD5807N  
Power MOSFET  
40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Avalanche Energy Specified  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
Applications  
37 mW @ 4.5 V  
31 mW @ 10 V  
16 A  
23 A  
40 V  
• CCFL Backlight  
• DC Motor Control  
• Class D Amplifier  
D
• Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
G
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Gate−to−Source Voltage  
V
"20  
"30  
V
GS  
S
N−CHANNEL MOSFET  
V
GS  
V
− Non−Repetitive (t < 10 mS)  
p
4
Continuous Drain  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
23  
16  
33  
A
C
D
4
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
Steady  
State  
T
C
2
1
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
C
P
W
D
3
1
q
JC  
2
3
DPAK  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
45  
A
p
DM  
IPAK  
CASE 369AA  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
CASE 369D  
(Straight Lead  
DPAK)  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
23  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
29.4  
mJ  
AS  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
Energy (V = 50 V, V = 10 V, R = 25 W,  
DD  
GS  
G
I
= 14 A, L = 0.3 mH, V = 40 V)  
L(pk)  
DS  
4
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
Drain  
L
4
Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
2
Drain  
1
3
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Gate Source  
1
2
3
Junction−to−Case (Drain)  
R
4.5  
°C/W  
q
JC  
Gate Drain Source  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
107  
q
JA  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces.  
5807N = Device Code  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
February, 2010 − Rev. 2  
NTD5807N/D  
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD5807NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD5862N ONSEMI

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