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NTD5407NG

更新时间： 2024-09-15 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N−Channel, DPAK

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NTD5407NG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DPAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.41雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：38 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：75 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD5407NG 数据手册

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NTD5407N  
Power MOSFET  
40 V, 38 A, Single N−Channel, DPAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• These are Pb−Free Devices  
I
D
MAX  
V
R
TYP  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
Applications  
40 V  
21 mΩ @ 10 V  
38 A  
• Electronic Brake Systems  
• Electronic Power Steering  
• Bridge Circuits  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
DSS  
40  
20  
38  
27  
75  
V
V
A
G
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain  
V
GS  
I
D
T
= 25°C  
C
Steady  
State  
S
Current −R  
(Note 1)  
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
Power Dissipation −  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
D
W
T
C
= 25°C  
R
MARKING  
DIAGRAM  
ꢀ
JC  
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ꢁ s  
p
I
75  
A
DM  
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
175  
°C  
J
2
1
T
STG  
YWW  
54  
07NG  
3
Source Current (Body Diode)  
I
36  
A
S
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
Single Pulse Drain−to Source Avalanche  
EAS  
150  
mJ  
Energy − (V = 50 V, V = 10 V, I = 17 A,  
DD  
GS  
PK  
L = 1 mH, R = 25 ꢂ)  
G
Y
= Year  
= Work Week  
= Specific Device Code  
= Pb−Free Device  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
260  
°C  
T
L
WW  
5407N  
G
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
Device  
Package  
Shipping†  
Parameter  
Junction−to−Case (Drain)  
Symbol  
Max  
Units  
NTD5407NG  
DPAK  
(Pb−Free)  
75 Units / Rail  
R
2.0  
°C/W  
θ
JC  
NTD5407NT4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
2500 / Tape & Reel  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
October, 2005 − Rev. 0  
NTD5407N/D  
 
123456

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NTD5407NG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK
NTD560 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220
NTD565 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3
NTD568 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
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 		Power MOSFET 40 V, Single N−Channel, 101 A DPAK

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