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NTD5414NT4G

更新时间： 2024-10-02 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 104K
描述
Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK

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NTD5414NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-252包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369AA-01, DPAK-3/2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：86.4 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.037 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：75 A认证状态：Not Qualified
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD5414NT4G 数据手册

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NTD5414N  
Power MOSFET  
24 Amps, 60 Volts Single N−Channel  
DPAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• High Current Capability  
• Avalanche Energy Specified  
• These are Pb−Free Devices  
I
D
MAX  
V
R
MAX  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
Applications  
60 V  
37 mW @ 10 V  
24 A  
• LED Lighting and LED Backlight Drivers  
• DC−DC Converters  
N−Channel  
• DC Motor Drivers  
D
• Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectification  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
G
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
$20  
$30  
V
GS  
GS  
S
Gate−to−Source Voltage − Nonrepetitive  
(T < 10 ms)  
P
V
V
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
24  
16  
55  
A
C
D
MARKING  
DIAGRAMS  
q
JC  
T
C
(Note 1)  
4
Power Dissipation  
Steady  
State  
T
C
P
W
D
Drain  
R
(Note 1)  
q
JC  
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
75  
A
DM  
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
2
1
+175  
3
Source Current (Body Diode)  
I
S
24  
A
2
1
Gate  
3
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
86.4  
mJ  
Drain  
Source  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 50 V , V = 10 V, I = 24 A,  
L(pk)  
DD  
dc  
GS  
L = 0.3 mH, R = 25 W)  
G
5414N = Device Code  
Y
WW  
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Device  
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
2.7  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
(Note 1)  
°C/W  
R
q
JC  
R
58.6  
q
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
(Cu Area 1.127 sq in [1 oz] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
October, 2008 − Rev. 0  
NTD5414N/D  
 
123456

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NTD5414NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD20NF06LT4 STMICROELECTRONICS

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 N-channel 60V - 0.032Ω - 24A - DPAK - IPAK S
NTP27N06G ONSEMI

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NTP27N06 ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD560 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
NTD5802N ONSEMI

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