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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB6412ANT4G
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NTB6412ANT4G

更新时间： 2024-09-13 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 136K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ

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NTB6412ANT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.98Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：58 A最大漏极电流 (ID)：58 A
最大漏源导通电阻：0.0182 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：167 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB6412ANT4G 数据手册

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NTB6412AN, NTP6412AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 58 A, 18.2 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
I
D
MAX  
V
R
MAX  
(Note 1)  
(BR)DSS  
DS(ON)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
100 V  
18.2 mW @ 10 V  
58 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol Value  
Unit  
V
V
100  
$20  
58  
DSS  
N−Channel  
V
V
GS  
D
Continuous Drain Cur- Steady  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
rent R  
State  
q
JC  
T
C
41  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
167  
W
D
G
q
JC  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
240  
A
DM  
S
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
+175  
4
Source Current (Body Diode)  
I
S
58  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
300  
mJ  
AS  
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
1
2
I
= 44.7 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
3
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
2
TO−220AB  
D PAK  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
1
2
3
Symbol  
Max  
0.9  
33  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
q
°C/W  
JC  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
R
q
JA  
4
4
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Drain  
Drain  
NTB  
6412ANG  
AYWW  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
NTP  
6412ANG  
AYWW  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
2
6412AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
October, 2009 − Rev. 0  
NTB6412AN/D  
 
1234567

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NTB6412ANT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB6412ANG ONSEMI

完全替代

 N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
NTB6411ANT4G ONSEMI

类似代替

 N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ
NTB52N10G ONSEMI

类似代替

 N-Channel Enhancement−Mode D2PAK

与NTB6412ANT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB6413AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ
NTB6413AN_12 ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
NTB6413ANG ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ
NTB6413ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ
NTB6448ANG ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
NTB6448ANT4G ONSEMI

获取价格

 		76A, 100V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
NTB65N02R ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02R_05 ONSEMI

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 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02RG ONSEMI

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 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02RT4 ONSEMI

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