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NTB75N03L09G

更新时间： 2024-11-04 22:44:47

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	68K
描述
Power MOSFET

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NTB75N03L09G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.41	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.008 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	225 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTB75N03L09G 数据手册

NTP75N03L09,

NTB75N03L09

Power MOSFET

75 Amps, 30 Volts, N−Channel

TO−220 and D²PAK

http://onsemi.com

This Logic Level Vertical Power MOSFET is a general purpose part

that provides the “best of design” available today in a low cost power

package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in.

The drain−to−source diode has a ideal fast but soft recovery.

75 AMPERES, 30 VOLTS

R_DS(on)= 8 mW

N−Channel

Features

• Pb−Free Packages are Available

• Ultra−Low R , Single Base, Advanced Technology

DS(on)

• SPICE Parameters Available

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• I

and V

Specified at Elevated Temperatures

DSS

DS(on)

• High Avalanche Energy Specified

• ESD JEDAC Rated HBM Class 1, MM Class B, CDM Class 0

MARKING

DIAGRAMS

Typical Applications

Drain

• Power Supplies

• Inductive Loads

• PWM Motor Controls

75N

03L09

AYWW

TO−220

CASE 221A

STYLE 5

• Replaces MTP75N03HDL and MTB75N03HDL in Many

Applications

Gate

Source

Drain

D PAK

75N03L09

AYWW

CASE 418AA

STYLE 2

Gate

Drain

Source

75N03L09 = Device Code

= Assembly Location

= Year

= Work Week

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

August, 2004 − Rev. 6

NTP75N03L09/D

12 3 4 5 6 7 8

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NTB75N03L09G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTB75N03L09T4G	ONSEMI	完全替代	Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK Logic Level, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
NTB75N03RT4G	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
NTB75N03L09T4	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET

与NTB75N03L09G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTB75N03L09T4	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET
NTB75N03L09T4G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK Logic Level, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
NTB75N03R	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB75N03RG	ROCHESTER	获取价格	75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3
NTB75N03RT4	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB75N03RT4G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
NTB75N06	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET
NTB75N06G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET
NTB75N06L	ONSEMI	获取价格	POWER MOSFET 75 AMPS, 60 VOLTS, LOGIC LEVEL
NTB75N06LG	ONSEMI	获取价格	75A, 60V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

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