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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB75N03L09T4
NTB75N03L09T4 PDF预览

NTB75N03L09T4

更新时间： 2024-11-04 22:26:19
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 68K
描述
Power MOSFET

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NTB75N03L09T4 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.41Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：225 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB75N03L09T4 数据手册

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NTP75N03L09,  
NTB75N03L09  
Power MOSFET  
75 Amps, 30 Volts, N−Channel  
TO−220 and D2PAK  
http://onsemi.com  
This Logic Level Vertical Power MOSFET is a general purpose part  
that provides the “best of design” available today in a low cost power  
package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in.  
The drain−to−source diode has a ideal fast but soft recovery.  
75 AMPERES, 30 VOLTS  
RDS(on) = 8 mW  
N−Channel  
Features  
D
• Pb−Free Packages are Available  
• Ultra−Low R , Single Base, Advanced Technology  
DS(on)  
• SPICE Parameters Available  
G
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperatures  
DSS  
DS(on)  
S
• High Avalanche Energy Specified  
• ESD JEDAC Rated HBM Class 1, MM Class B, CDM Class 0  
MARKING  
DIAGRAMS  
4
Typical Applications  
Drain  
4
• Power Supplies  
• Inductive Loads  
• PWM Motor Controls  
75N  
03L09  
AYWW  
TO−220  
CASE 221A  
STYLE 5  
• Replaces MTP75N03HDL and MTB75N03HDL in Many  
Applications  
1
Gate  
3
1
2
Source  
3
2
Drain  
4
Drain  
4
2
D PAK  
75N03L09  
AYWW  
CASE 418AA  
STYLE 2  
2
1
3
2
1
Gate  
3
Drain  
Source  
75N03L09 = Device Code  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 6  
NTP75N03L09/D  
12345678

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NTB75N03L09T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB75N03L09 ONSEMI

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 Power MOSFET
NTB75N03L09T4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK Logic Level, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
NTB75N03L09G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB75N03L09T4G ONSEMI

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NTB75N03RG ROCHESTER

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 		75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3
NTB75N03RT4 ONSEMI

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 		Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
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 		Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
NTB75N06 ONSEMI

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 		Power MOSFET
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 		Power MOSFET
NTB75N06L ONSEMI

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 		POWER MOSFET 75 AMPS, 60 VOLTS, LOGIC LEVEL
NTB75N06LG ONSEMI

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NTB75N06LT4 ONSEMI

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