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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB75N06LT4G
NTB75N06LT4G PDF预览

NTB75N06LT4G

更新时间： 2024-11-06 13:12:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 72K
描述
75A, 60V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

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NTB75N06LT4G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：844 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：214 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：225 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB75N06LT4G 数据手册

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NTP75N06L, NTB75N06L  
Power MOSFET  
75 Amps, 60 Volts, Logic Level  
2
N–Channel TO–220 and D PAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
75 AMPERES  
60 VOLTS  
R
= 11 mΩ  
DS(on)  
N–Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol Value  
Unit  
Drain–to–Source Voltage  
Drain–to–Gate Voltage (R  
V
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
= 10 MΩ)  
G
GS  
DGR  
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
4
V
V
"20  
"15  
GS  
GS  
S
– Non–Repetitive (t v10 ms)  
p
4
Drain Current  
1
2
– Continuous @ T = 25°C  
I
I
75  
50  
225  
Adc  
Apk  
A
D
D
– Continuous @ T = 100°C  
3
A
– Single Pulse (t v10 µs)  
I
p
DM  
P
2
D PAK  
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
214  
1.4  
2.4  
W
W/°C  
W
A
D
CASE 418B  
STYLE 2  
Derate above 25°C  
1
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1.)  
A
2
3
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
stg  
–55 to  
+175  
°C  
J
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
844  
mJ  
4
Energy – Starting T = 25°C  
J
4
Drain  
(V  
I
= 50 Vdc, V  
= 75 A, V  
DS  
= 5.0 Vdc, L = 0.3 mH  
DD  
L(pk)  
GS  
= 60 Vdc)  
Drain  
Thermal Resistance  
– Junction–to–Case  
°C/W  
°C  
R
R
0.7  
62.5  
θJC  
θJA  
NTB75N06L  
LLYWW  
– Junction–to–Ambient (Note 1.)  
NTP75N06L  
LLYWW  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
2
1
3
1
Gate  
3
1. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
Drain  
Gate  
Source  
Source  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
2
NTx75N06L = Device Code  
Drain  
LL  
= Location Code  
= Year  
Y
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NTP75N06L  
NTB75N06L  
NTB75N06LT4  
TO–220AB  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
D PAK  
2
D PAK  
800/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
April, 2001 – Rev. 0  
NTP75N06L/D  
12345678

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NTB75N06LT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB75N06LT4 ONSEMI

完全替代

 POWER MOSFET 75 AMPS, 60 VOLTS, LOGIC LEVEL
NTB75N06L ONSEMI

完全替代

 POWER MOSFET 75 AMPS, 60 VOLTS, LOGIC LEVEL
NTB75N06LG ONSEMI

类似代替

 75A, 60V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB75N06T4 ONSEMI

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 		Power MOSFET
NTB75N06T4G ONSEMI

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 		Power MOSFET
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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
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