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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB75N03RT4G
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NTB75N03RT4G

更新时间： 2024-09-16 13:12:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL

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NTB75N03RT4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.2Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：71.7 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.7 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：74.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：225 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB75N03RT4G 数据手册

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NTB75N03R, NTP75N03R  
Power MOSFET  
75 Amps, 25 Volts  
N−Channel D2PAK, TO−220  
Features  
http://onsemi.com  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
75 AMPERES  
25 VOLTS  
RDS(on) = 5.6 mΩ (Typ)  
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
DS(on)  
• Low C to Minimize Driver Loss  
iss  
• Low Gate Charge  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
4
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
4
V
25  
V
dc  
V
dc  
DSS  
1
2
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
±20  
GS  
3
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
R
P
1.68  
74.4  
°C/W  
W
q
JC  
2
D PAK  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
D
CASE 418AA  
STYLE 2  
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
75  
225  
A
A
C
D
1
− Single Pulse (t = 10 ms)  
I
2
p
DM  
3
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
60  
°C/W  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
q
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
2.08  
12.6  
W
A
A
D
4
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
I
D
A
4
Drain  
Drain  
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
(Note 2)  
R
100  
°C/W  
q
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
1.25  
9.7  
W
A
A
D
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
I
D
A
75N03R  
YWW  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
P75N03R  
YWW  
E
AS  
71.7  
mJ  
2
1
Gate  
3
Energy − Starting T = 25°C  
1
Gate  
3
J
Drain  
(V = 30 V , V = 10 V , I = 12 A ,  
Source  
DD  
dc  
GS  
dc  
L
pk  
Source  
L = 1 mH, R = 25 W)  
G
2
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
75N03  
Y
= Device Code  
= Year  
Drain  
WW  
= Work Week  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 inch pad size,  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
NTP75N03R  
NTB75N03R  
NTB75N03RT4  
TO−220AB  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
D PAK  
2
D PAK  
800/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
October, 2003 − Rev. 2  
NTB75N03R/D  
 
12345678

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NTB75N03RT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB75N03L09T4G ONSEMI

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NTB75N06LG ONSEMI

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 		75A, 60V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
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