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NTB6448ANG

更新时间： 2024-09-15 14:26:55
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安森美 - ONSEMI /
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NTB6448AN, NTP6448AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 76 A, 13 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
I
MAX  
D
V
R
MAX  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
100 V  
13 mW @ 10 V  
76 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
76  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
V
GS  
V
D
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
54  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
188  
W
G
4
q
JC  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
305  
A
DM  
S
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
S
76  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
500  
mJ  
1
2
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
I
= 57.7 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
3
Lead Temperature for Soldering  
T
260  
°C  
L
2
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
D PAK  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
CASE 418B  
STYLE 2  
1
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
2
3
Symbol  
Max  
0.8  
32  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
4
R
q
JA  
4
Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Drain  
NTB  
6448ANG  
AYWW  
NTP  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
6448ANG  
AYWW  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
2
6448AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
October, 2009 − Rev. 0  
NTB6448AN/D  
 
1234567

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NTB6448ANG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB6448ANT4G ONSEMI

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 76A, 100V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB6448ANT4G ONSEMI

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 		76A, 100V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
NTB65N02R ONSEMI

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 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02R_05 ONSEMI

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 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02RG ONSEMI

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 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02RT4 ONSEMI

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 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02RT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB6N60 ONSEMI

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 		6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB6N60 ROCHESTER

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 		6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB6N60T4 ONSEMI

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