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NTB6N60

更新时间： 2024-11-05 20:56:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

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NTB6N60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：142 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB6N60 数据手册

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NTP6N60, NTB6N60  
Preferred Device  
Advance Information  
Power MOSFET  
6 Amps, 600 Volts  
2
N–Channel TO–220 and D PAK  
http://onsemi.com  
Designed for high voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits.  
6 AMPERES  
600 VOLTS  
Features  
• Higher Current Rating  
• Lower R  
• Lower Capacitances  
DS(on)  
R
= 1200 mΩ  
DS(on)  
• Lower Total Gate Charge  
N–Channel  
D
• Tighter V Specifications  
SD  
• Avalanche Energy Specified  
Typical Applications  
• Switch Mode Power Supplies  
• PWM Motor Controls  
• Converters  
G
4
S
• Bridge Circuits  
4
1
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
3
Rating  
Symbol  
Value  
600  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
2
D PAK  
CASE 418B  
STYLE 2  
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
600  
GS  
1
2
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
3
MARKING DIAGRAMS  
AND PIN ASSIGNMENTS  
V
GS  
"20  
"40  
– Non–Repetitive (t v10 ms)  
V
GSM  
p
Drain  
Drain  
Drain  
Adc  
– Continuous  
– Continuous @ 100°C  
– Single Pulse (t v10 µs)  
I
I
6.0  
4.8  
21  
D
D
I
p
DM  
NTB6N60  
LLYWW  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
142  
1.14  
Watts  
W/°C  
D
NTP6N60  
LLYWW  
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
J stg  
–55 to 150  
°C  
Drain  
Gate  
Source  
Gate  
Source  
Single Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
450  
mJ  
NTx6N60 = Device Code  
Energy – Starting T = 25°C  
J
GS  
Drain  
LL  
Y
= Location Code  
= Year  
(V  
= 100 V, V  
= 10 Vdc,  
= 6 A, L = 25 mH, R = 25 Ω)  
DD  
I
L
G
WW  
= Work Week  
Thermal Resistance  
– Junction–to–Case  
°C/W  
°C  
R
R
R
0.88  
62.5  
50  
θJC  
θJA  
θJA  
ORDERING INFORMATION  
– Junction–to–Ambient  
– Junction–to–Ambient (Note 1.)  
Device  
Package  
Shipping  
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes, 1/8″ from case  
for 10 seconds  
T
260  
L
NTP6N60  
NTB6N60  
NTB6N60T4  
TO–220AB  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
D PAK  
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
2
D PAK  
800/Tape & Reel  
This document contains information on a new product. Specifications and information  
herein are subject to change without notice.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 1  
NTP6N60/D  
1234

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与NTB6N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB6N60T4 ONSEMI

获取价格

 		6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB6N60T4 ROCHESTER

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 		6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
NTB707 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | TO-263AB
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NTB75N03-006 ONSEMI

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 		Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts
NTB75N03-06 ONSEMI

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 		Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB75N03-06G ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01,
NTB75N03-06T4 ONSEMI

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 		Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK

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