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NTB75N03-06G

更新时间： 2024-11-05 12:59:31

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
8页	64K
描述
TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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NTB75N03-06G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	225 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTB75N03-06G 数据手册

NTP75N03−06,

NTB75N03−06

Power MOSFET

75 Amps, 30 Volts

N−Channel TO−220 and D²PAK

http://onsemi.com

This 20 V

gate drive vertical Power MOSFET is a general

purpose part that provides the “best of design” available today in a low

cost power package. This power MOSFET is designed to withstand

high energy in the avalanche and commutation modes. The

Drain−to−SourceDiode has a fast response with soft recovery.

TYP

I MAX

(BR)DSS

DS(on)

30 A

5.3 mW @ 10 V

75 A

Features

• Ultra−Low R

• SPICE Parameters Available

, Single Base, Advanced Technology

DS(on)

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• I

and V

Specified at Elevated Temperatures

DSS

DS(on)

• High Avalanche Energy Capability

• ESD JEDAC Rated HBM Class 1, MM Class B, CDM Class 0

TO−220AB

CASE 221A

Style 5

D PAK

CASE 418AA

Typical Applications

Style 2

• Power Supplies

• Inductive Loads

• PWM Motor Controls

• Replaces MTP1306 and MTB1306

MARKING DIAGRAMS

& PIN ASSIGNMENTS

N−Channel

Drain

N03−06

YWW

N03−06

YWW

Gate

Source

Drain

Gate

Source

Drain

75N03−06 = Device Code

= Year

= Work Week

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

NTP75N03−06

NTB75N03−06

NTB75N03−06T4

TO−220

50 Units/Rail

D PAK

800/Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2003

Publication Order Number:

December, 2003 − Rev. 4

NTP75N03−06/D

12 3 4 5 6 7 8

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与NTB75N03-06G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTB75N03-06T4	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK
NTB75N03-6G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts
NTB75N03L09	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET
NTB75N03L09G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET
NTB75N03L09T4	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET
NTB75N03L09T4G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK Logic Level, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
NTB75N03R	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB75N03RG	ROCHESTER	获取价格	75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3
NTB75N03RT4	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB75N03RT4G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL

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