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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CASE 418AA-01, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 225 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTB75N03-6G | ONSEMI |
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Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts |
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| NTB75N03L09 | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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| NTB75N03L09G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| NTB75N03L09T4 | ONSEMI |
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Power MOSFET |
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| NTB75N03L09T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK Logic Level, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL |
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| NTB75N03R | ONSEMI |
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Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
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| NTB75N03RG | ROCHESTER |
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75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3 |
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| NTB75N03RT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
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| NTB75N03RT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL |
|
| NTB75N06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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