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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.21 | 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTB707 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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| NTB708 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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| NTB70N08 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | TO-263AB |
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| NTB70N08L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | TO-263AB |
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| NTB75N03-006 | ONSEMI |
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Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts |
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| NTB75N03-06 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK |
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| NTB75N03-06G | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418AA-01, |
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| NTB75N03-06T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK |
|
| NTB75N03-6G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts |
|
| NTB75N03L09 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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