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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB65N02RT4G
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NTB65N02RT4G

更新时间： 2024-11-05 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 76K
描述
Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK

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NTB65N02RT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 418AA-01, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.18Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：65 A最大漏极电流 (ID)：7.6 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：62.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB65N02RT4G 数据手册

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NTB65N02R, NTP65N02R  
Power MOSFET  
65 A, 24 V N−Channel  
TO−220, D2PAK  
Features  
http://onsemi.com  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
DSon  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Low C to Minimize Driver Loss  
iss  
24 V  
8.4 mW @ 10 V  
65 A  
• Low Gate Charge  
• Pb−Free Packages are Available*  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
S
V
DSS  
25  
V
V
dc  
dc  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
V
±20  
GS  
MARKING  
DIAGRAMS  
R
2.0  
°C/W  
q
JC  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
62.5  
W
C
Drain Current −  
Continuous @ T = 25°C, Chip  
Continuous @ T =25°C, Limited by Package  
Single Pulse (t = 10 ms)  
I
I
65  
58  
160  
A
A
A
C
D
C
D
4
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
I
p
DM  
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
P65N02RG  
AYWW  
R
P
I
67  
1.86  
10  
°C/W  
W
A
q
JA  
A
D
A
D
1
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
2
2
3
R
P
I
120  
1.04  
7.6  
°C/W  
W
A
q
JA  
A
D
A
D
2
D PAK  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
T and  
−55 to  
150  
°C  
4
J
65N02RG  
AYWW  
CASE 418AA  
STYLE 2  
T
stg  
E
60  
mJ  
AS  
1
3
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 50 V , V = 10 V , I = 11 A ,  
65N02R = Specific Device Code  
DD  
dc  
GS  
dc  
L
pk  
L = 1 mH, R = 25 W)  
A
Y
WW  
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
G
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
= Pb−Free Package  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
PIN ASSIGNMENT  
PIN  
FUNCTION  
2
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in. pad size, (Cu Area 1.127 in ).  
1
Gate  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
2
3
Drain  
Source  
4
Drain  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
May, 2005 − Rev. 6  
NTB65N02R/D  
 
12345678

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NTB65N02RT4G 替代型号

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