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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB65N02RT4
NTB65N02RT4 PDF预览

NTB65N02RT4

更新时间： 2024-09-14 22:28:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK

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NTB65N02RT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 418AA-01, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.17
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：65 A
最大漏极电流 (ID)：7.6 A最大漏源导通电阻：0.0105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：78 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB65N02RT4 数据手册

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NTB65N02R, NTP65N02R  
Product Preview  
Power MOSFET  
65 A, 24 V N-Channel  
TO-220, D2PAK  
http://onsemi.com  
Features  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
65 A, 24 V  
RDS(on) = 8.3 mW (TYP)  
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
DSon  
• Low C to Minimize Driver Loss  
iss  
• Low Gate Charge  
• Fast Switching  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
G
Parameter  
Drain–to–Source Voltage  
Gate–to–Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
24  
V
dc  
V
dc  
S
Continuous  
V
GS  
±20  
Drain Current(Continuous @ T = 25°C (Note 3)  
I
65  
160  
A
A
A
D
Single Pulse (tp = 10 ms)  
I
DM  
MARKING  
DIAGRAMS  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
78  
W
°C  
A
D
Operating and Storage Temperature  
T and  
–55 to  
150  
J
T
stg  
TO–220AB  
CASE 221A  
Style 5  
4
xxxxx  
YWW  
Single Pulse Drain–to Source Avalanche  
E
AS  
TBD  
mJ  
Energy – Starting T =25°C  
J
(V = 50 V , V = 5 V , I = A , L = 1 mH,  
DD  
dc  
GS  
dc  
L
pk  
R
= 25 W)  
G
Thermal Resistance  
Junction–to–Case  
R
R
R
1.6  
67  
120  
°C/W  
°C  
q
JC  
JA  
JA  
Junction–to–Ambient (Note 1)  
Junction–to–Ambient (Note 2)  
q
1
2
q
3
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 10 Seconds  
T
260  
L
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 inch pad size, (Cu Area  
2
D PAK  
xxxxx  
YWW  
4
2
1.127 in ).  
CASE 418B  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
Style 2  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
2
3. Chip current capability limited by package.  
1
3
PIN ASSIGNMENT  
xxxxx = Specific Device Code  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
PIN  
1
FUNCTION  
Gate  
2
Drain  
ORDERING INFORMATION  
3
Source  
Drain  
Device  
Package  
Shipping  
4
2
NTB65N02R  
D PAK  
50 Units/Rail  
2
NTB65N02RT4  
NTP65N02R  
D PAK  
800 Tape & Reel  
50 Units/Rail  
TO–220AB  
This document contains information on a product under development. ON Semiconductor  
reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
October, 2002 – Rev. 0  
NTB65N02R/D  
1234

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NTB65N02RT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB65N02R ONSEMI

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