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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB6413AN
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NTB6413AN

更新时间： 2024-11-14 06:00:43
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 140K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ

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NTB6413AN 数据手册

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NTB6413AN, NTP6413AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 42 A, 28 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
I
D
MAX  
V
R
MAX  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
100 V  
28 mW @ 10 V  
42 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
42  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
V
GS  
V
D
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
28  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
136  
W
q
JC  
G
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
178  
A
DM  
S
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
+175  
4
Source Current (Body Diode)  
I
S
42  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
200  
mJ  
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
1
2
I
= 36.5 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
3
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
2
TO−220AB  
D PAK  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
1
2
3
Symbol  
Max  
1.1  
35  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
R
q
JA  
4
4
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Drain  
Drain  
NTB  
6413ANG  
AYWW  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
NTP  
6413ANG  
AYWW  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
2
6413AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
November, 2009 − Rev. 1  
NTB6413AN/D  
 
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与NTB6413AN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTB6413AN_12 ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m
NTB6413ANG ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ
NTB6413ANT4G ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ
NTB6448ANG ONSEMI

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 		暂无描述
NTB6448ANT4G ONSEMI

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 		76A, 100V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
NTB65N02R ONSEMI

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 		Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
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