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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTB6413ANG
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NTB6413ANG

更新时间： 2024-09-15 06:00:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 140K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ

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NTB6413ANG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：136 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：178 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB6413ANG 数据手册

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NTB6413AN, NTP6413AN  
N-Channel Power MOSFET  
100 V, 42 A, 28 mW  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• 100% Avalanche Tested  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
I
D
MAX  
V
R
MAX  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
100 V  
28 mW @ 10 V  
42 A  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
100  
$20  
42  
Unit  
V
V
DSS  
N−Channel  
V
GS  
V
D
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
A
C
q
JC  
T
C
28  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T
C
P
D
136  
W
q
JC  
G
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
178  
A
DM  
S
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
+175  
4
Source Current (Body Diode)  
I
S
42  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
200  
mJ  
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc,  
DD  
GS  
1
2
I
= 36.5 A, L = 0.3 mH, R = 25 W)  
L(pk)  
G
3
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
2
TO−220AB  
D PAK  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418B  
STYLE 2  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
1
2
3
Symbol  
Max  
1.1  
35  
Unit  
Junction−to−Case (Drain) Steady State  
Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
°C/W  
q
JC  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
R
q
JA  
4
4
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
Drain  
Drain  
NTB  
6413ANG  
AYWW  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
NTP  
6413ANG  
AYWW  
2
1
Gate  
3
1
Gate  
3
Drain  
Source  
Source  
2
6413AN = Specific Device Code  
Drain  
G
A
Y
= Pb−Free Device  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
November, 2009 − Rev. 1  
NTB6413AN/D  
 
1234567

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NTB6413ANG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVB6413ANT4G ONSEMI

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NTB6448ANG ONSEMI

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 		暂无描述
NTB6448ANT4G ONSEMI

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 		76A, 100V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
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