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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF182S
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MRF182S

更新时间： 2024-02-02 05:43:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 137K
描述
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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MRF182S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 360C-03, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.66外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF182S 数据手册

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by MRF182/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF MOSFET Line  
N–Channel Enhancement–Mode Lateral  
MOSFETs  
•
•
•
High Gain, Rugged Device  
Broadband Performance from HF to 1 GHz  
30 W, 1.0 GHz  
LATERAL N–CHANNEL  
BROADBAND  
Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common  
Mode Inductances  
RF POWER MOSFETs  
D
CASE 360B–01, STYLE 1  
(MRF182)  
G
S
CASE 360C–03, STYLE 1  
(MRF182S)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
±20  
Total Device Dissipation @ T = 70°C  
Derate above 70°C  
P
D
74  
0.57  
W
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
– 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.75  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
(V = 0, I = 1.0 Adc)  
V
65  
–
–
–
–
–
1
1
Vdc  
µAdc  
µAdc  
(BR)DSS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 28 V, V = 0)  
D
I
DSS  
DS  
Gate–Source Leakage Current  
(V = 20 V, V = 0)  
GS  
I
–
GSS  
GS  
DS  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 5  
Motorola, Inc. 1997  
12345678

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与MRF182S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF182SR1 MOTOROLA

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
MRF183 MOTOROLA

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 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF183LSR1 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF183LSR1 MOTOROLA

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN
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