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MRF19030R3

更新时间： 2024-11-13 22:31:19

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF19030R3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	NI-400, CASE 465E-04, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF19030R3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF19030/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

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Designed for class AB PCN and PCS base station applications with

frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and

multicarrier amplifier applications.

• CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — –47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz — –55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz — –55 dBc @ 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

2.0 GHz, 30 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17%

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

CASE 465E–03, STYLE 1

NI–400

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW

Output Power

MRF19030R3

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465F–03, STYLE 1

NI–400S

MRF19030SR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +200

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.1

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 7

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF19030R3 MRF19030SR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF19030S	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465F-03, 3 PIN
MRF19030SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19045LR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19045LR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19045LR3_06	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19045LR3_08	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19045LSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF19045SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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