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MRF19030

更新时间： 2024-01-24 07:39:48

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管功效放大器局域网
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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF19030 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CASE 465F-03, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	其他特性：	HIGH EFFICIENCY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF19030 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF19030/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

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Designed for class AB PCN and PCS base station applications with

frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and

multicarrier amplifier applications.

• CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — –47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz — –55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz — –55 dBc @ 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

2.0 GHz, 30 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17%

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

CASE 465E–03, STYLE 1

NI–400

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW

Output Power

MRF19030R3

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465F–03, STYLE 1

NI–400S

MRF19030SR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +200

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.1

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 7

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF19030R3 MRF19030SR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF19030LR3	MOTOROLA	The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MO	获取价格
MRF19030LR3	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF19030LSR3	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF19030LSR3	MOTOROLA	The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MO	获取价格
MRF19030R3	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格
MRF19030S	MOTOROLA	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465F-03, 3 PIN	获取价格

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