5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MRF183LSR1
MRF183LSR1 PDF预览

MRF183LSR1

更新时间： 2024-09-27 20:26:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 334K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

MRF183LSR1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.19Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (ID)：5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF183LSR1 数据手册

 浏览型号MRF183LSR1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF183LSR1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF183LSR1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MRF183LSR1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF183LSR1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MRF183LSR1的Datasheet PDF文件第7页 
MOTOROLA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Order this document  
by MRF183/D  
The RF MOSFET Line  
RF Power  
MRF183R1  
Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral  
MOSFETs  
MRF183LSR1  
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-  
cies to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices  
make them ideal for large-signal, common source amplifier applications in 28  
volt base station equipment.  
1.0 GHz, 45 W, 28 V  
LATERAL N-CHANNEL  
BROADBAND  
RF POWER MOSFETs  
• Guaranteed Performance at 945 MHz, 28 Volts  
Output Power — 45 Watts PEP  
Power Gain — 11.5 dB  
Efficiency — 33%  
IMD — - 28 dBc  
D
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal  
Impedance Parameters  
CASE 360B-05, STYLE 1  
NI-360  
• S-Parameter Characterization at High Bias Levels  
MRF183R1  
• 100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles  
with 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 Watts CW  
G
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per  
32 mm, 13 inch Reel.  
CASE 360C-05, STYLE 1  
NI-360S  
S
MRF183LSR1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage (RGS = 1 Meg Ohm)  
Gate-Source Voltage  
V
DSS  
DGR  
V
65  
V
20  
GS  
Drain Current - Continuous  
I
5
D
Total Device Dissipation @ T = 70°C  
Derate above 70°C  
P
86  
0.67  
W
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +200  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
θ
JC  
1.5  
°C/W  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 15  
Motorola, Inc. 2003  
 
1234567...12

中文翻译

下载PDF

与MRF183LSR1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF183R1 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF183R1 MOTOROLA

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
MRF183S MOTOROLA

获取价格

 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF183SR1 MOTOROLA

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN
MRF184 MOTOROLA

获取价格

 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184R1 FREESCALE

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF184S MOTOROLA

获取价格

 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184SR1 FREESCALE

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF185 ASI

获取价格

 		RF POWER MOSFET
MRF185 MOTOROLA

获取价格

 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

与MRF183LSR1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证