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MRF19030LSR3

更新时间： 2024-02-29 23:41:18

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF19030LSR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	NI-400S, CASE 465F-04, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF19030LSR3 数据手册

Document Number: MRF19030

Rev. 12, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for class AB PCN and PCS base station applications with

frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and

multicarrier amplifier applications.

MRF19030LR3

MRF19030LSR3

• CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — -47 dBc in 30 kHz BW

1.25 MHz — -55 dBc in 12.5 kHz BW

2.25 MHz — -55 dBc in 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

1930-1990 MHz, 30 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17%

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 30 Watts CW

Output Power

Features

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

CASE 465E-04, STYLE 1

NI-400

MRF19030LR3

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465F-04, STYLE 1

NI-400S

MRF19030LSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

2.1

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

MRF19030LR3 MRF19030LSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF19030R3	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格
MRF19030S	MOTOROLA	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465F-03, 3 PIN	获取价格
MRF19030SR3	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格
MRF19045LR3	MOTOROLA	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格
MRF19045LR3	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格
MRF19045LR3_06	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格

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