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MRF185

更新时间： 2024-09-27 22:45:59
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

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MRF185 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF185 数据手册

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by MRF185/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF MOSFET Line  
85 WATTS, 1.0 GHz  
28 VOLTS  
LATERAL N–CHANNEL  
BROADBAND  
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET  
•
•
•
High Gain, Rugged Device  
Broadband Performance from HF to 1 GHz  
Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common  
Mode Inductances  
RF POWER MOSFET  
D
G
G
S
(FLANGE)  
D
CASE 375B–02, STYLE 2  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
Gate–Source Voltage  
V
GS  
±20  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
– 65 to +150  
200  
T
J
°C  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
250  
1.45  
Watts  
W/°C  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.7  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
(V = 0 V, I = 1 Adc)  
V
65  
–
–
–
–
–
1
1
Vdc  
µAdc  
µAdc  
(BR)DSS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 28 V, V = 0 V)  
D
I
DSS  
DS  
Gate–Source Leakage Current  
(V = 20 V, V = 0 V)  
GS  
I
–
GSS  
GS  
DS  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF185_02 MOTOROLA

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MRF186 FREESCALE

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