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MRF19060

更新时间： 2024-02-25 16:03:59

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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8页	414K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF19060 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

MRF19060 数据手册

Document Number: MRF19060

Rev. 9, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

MRF19060LR3

MRF19060LSR3

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1900 to 2000 MHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier

applications.

• Typical CDMA Performance: 1960 MHz, 26 Volts

IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 7.5 Watts

1930-1990 MHz, 60 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 12.5 dB

Adjacent Channel Power —

885 kHz: -47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz: -55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz: -55 dBc @ 1 MHz BW

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 60 Watts CW

Output Power

Features

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF19060LR3

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF19060LSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

180

1.03

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.97

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

MRF19060LR3 MRF19060LSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF19060LR3	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF19060LR3	NXP	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN	获取价格
MRF19060LSR3	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
MRF19060R3	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格
MRF19060S	NXP	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,65V V(BR)DSS,SOT-391BVAR	获取价格
MRF19060SR3	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格