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MRF186

更新时间： 2024-02-24 21:55:35

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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8页	517K
描述
The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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MRF186 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	14 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	162.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET RF Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF186 数据手册

ARCHIVED BY FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 2005

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF186/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies from 800 MHz to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of this

device make it ideal for large–signal, common source amplifier applications in 28

volt base station equipment.

1.0 GHz, 120 W, 28 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

• Guaranteed Performance @ 960 MHz, 28 Volts

Output Power — 120 Watts PEP

Power Gain — 11 dB

RF POWER MOSFET

Efficiency — 30%

Intermodulation Distortion — –28 dBc

• Excellent Thermal Stability

• 100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with

5:1 VSWR @ 28 Vdc, 960 MHz, 120 Watts CW

CASE 375B–04, STYLE 1

NI–860

MAXIMUM RATINGS (2)

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

DSS

Drain–Gate Voltage (R = 1 MΩ)

DGR

Gate–Source Voltage

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 70°C

Derate above 70°C

162.5

1.25

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

– 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS (2)

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.8

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 5

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF186

 Motorola, Inc. 2002

Archived 2005

12 3 4 5 6 7 8

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MRF18-8P-178B/U	HRS	获取价格	连接器类型:插头;线束品:无;特性阻抗:50.0 Ω;(Max.)频率:2.0 GHz;P
MRF18-8R-PC	HRS	获取价格	连接器类型:插座;线束品:无;特性阻抗:50.0 Ω;(Max.)频率:2.0 GHz;P
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