5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF187
MRF187 PDF预览

MRF187

更新时间： 2024-02-07 19:03:39
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 360K
描述
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

MRF187 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 465A-06, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.39外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
最大漏极电流 (ID)：15 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON

MRF187 数据手册

 浏览型号MRF187的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF187的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF187的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MRF187的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MRF187的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MRF187的Datasheet PDF文件第7页 
ꢒ ꢓꢎ ꢓ ꢀꢓ ꢔꢕ  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Order this document  
by MRF187/D  
The RF MOSFET Line  
ꢀ ꢁ ꢂ ꢃꢄꢅ ꢆ ꢁꢇꢅ ꢈꢉ ꢊ ꢋꢋ ꢅ ꢌꢍ ꢎꢆ ꢏꢐ ꢑ ꢇꢑ ꢍꢃ ꢆ ꢑ  
ꢒ
ꢀ
ꢁ
ꢖ
ꢗ
ꢘ
ꢒ
ꢀ
ꢁ
ꢖ
ꢗ
ꢘ
ꢀ
ꢙ
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
ꢒ
ꢀ
ꢁ
ꢖ
ꢗ
ꢘ
ꢚ
ꢀ
ꢙ
Designed for broadband commercial and industrial applications with  
frequencies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of  
these devices make them ideal for large–signal, common source amplifier  
applications in 26 volt base station equipment.  
1.0 GHz, 85 W, 26 V  
LATERAL N–CHANNEL  
BROADBAND  
• Guaranteed Performance @ 880 MHz, 26 Volts  
Output Power — 85 Watts PEP  
Power Gain — 12 dB  
RF POWER MOSFETs  
Efficiency — 30%  
Intermodulation Distortion — –28 dBc  
• 100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 5:1 VSWR  
@ 26 Vdc, 880 MHz, 85 Watts CW  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch  
Reel.  
CASE 465–06, STYLE 1  
NI–780  
MRF187  
CASE 465A–06, STYLE 1  
NI–780S  
MRF187SR3  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
Drain–Gate Voltage (R = 1 MΩ)  
V
DGR  
65  
GS  
Gate–Source Voltage  
V
GS  
20  
Drain Current — Continuous  
I
D
15  
Total Device Dissipation @ T ≥ 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
250  
1.43  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +200  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.70  
°C/W  
θ
JC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 4  
Motorola, Inc. 2002  
12345678

中文翻译

下载PDF

与MRF187相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF187R3 MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF187S MOTOROLA

获取价格

 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN
MRF187SR3 MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18-8P-178B/U HRS

获取价格

 		连接器类型:插头;线束品:无;特性阻抗:50.0 Ω;(Max.)频率:2.0 GHz;P
MRF18-8R-PC HRS

获取价格

 		连接器类型:插座;线束品:无;特性阻抗:50.0 Ω;(Max.)频率:2.0 GHz;P
MRF19030 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors
MRF19030 MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19030LR3 MOTOROLA

获取价格

 		The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MO
MRF19030LR3 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors
MRF19030LSR3 FREESCALE

获取价格

 		RF Power Field Effect Transistors

与MRF187相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证