Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF19030LSR3

MRF19030LSR3

更新时间： 2024-02-15 01:34:43

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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描述
The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF19030LSR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	NI-400S, CASE 465F-04, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF19030LSR3 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF19030/D

The RF MOSFET Line

MRF19030LR3

MRF19030LSR3

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for class AB PCN and PCS base station applications with

frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and

multicarrier amplifier applications.

• CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — -47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz — -55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz — -55 dBc @ 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

2.0 GHz, 30 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17%

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

CASE 465E-04, STYLE 1

NI-400

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW

Output Power

MRF19030LR3

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465F-04, STYLE 1

NI-400S

MRF19030LSR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Value

Unit

2.1

°C/W

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

Rev. 10

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF19030LR3 MRF19030LSR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF19030R3	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格
MRF19030S	MOTOROLA	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465F-03, 3 PIN	获取价格
MRF19030SR3	MOTOROLA	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	获取价格
MRF19045LR3	MOTOROLA	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格
MRF19045LR3	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格
MRF19045LR3_06	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格

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