MRF187SR3

更新时间： 2024-02-10 08:24:34

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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描述
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF187SR3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

MRF187SR3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF187/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

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Designed for broadband commercial and industrial applications with

frequencies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of

these devices make them ideal for large–signal, common source amplifier

applications in 26 volt base station equipment.

1.0 GHz, 85 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

• Guaranteed Performance @ 880 MHz, 26 Volts

Output Power — 85 Watts PEP

Power Gain — 12 dB

RF POWER MOSFETs

Efficiency — 30%

Intermodulation Distortion — –28 dBc

• 100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 5:1 VSWR

@ 26 Vdc, 880 MHz, 85 Watts CW

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch

Reel.

CASE 465–06, STYLE 1

NI–780

MRF187

CASE 465A–06, STYLE 1

NI–780S

MRF187SR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

DSS

Drain–Gate Voltage (R = 1 MΩ)

DGR

Gate–Source Voltage

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T ≥ 25°C

Derate above 25°C

250

1.43

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +200

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.70

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 4

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF187 MRF187R3 MRF187SR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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