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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF19045LR3
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MRF19045LR3

更新时间： 2024-11-13 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 569K
描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF19045LR3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.15外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：105 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF19045LR3 数据手册

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MOTOROLA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Freescale Semiconductor, Inc.  
Order this document  
by MRF19045/D  
The RF MOSFET Line  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from  
1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier  
applications.  
MRF19045LR3  
MRF19045LSR3  
• Typical CDMA Performance @ 1960 MHz, 26 Volts, IDQ = 550 mA  
Multi-carrier CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13  
Output Power — 9.5 Watts Avg.  
1990 MHz, 45 W, 26 V  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
Power Gain — 14.9 dB  
Efficiency — 23.5%  
Adjacent Channel Power —  
885 kHz: -50 dBc @ 30 kHz BW  
IM3 — -37 dBc  
• 100% Tested Under 2-Carrier N-CDMA  
• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
• Integrated ESD Protection  
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
CASE 465E-04, STYLE 1  
NI-400  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 45 Watts CW  
Output Power  
MRF19045LR3  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.  
CASE 465F-04, STYLE 1  
NI-400S  
MRF19045LSR3  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DSS  
V
-0.5, +15  
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
105  
0.60  
Watts  
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Value (1)  
Unit  
R
θ
JC  
1.65  
°C/W  
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
2 (Minimum)  
M3 (Minimum)  
(1) Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.motorola.com/semiconductors/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
Rev. 6  
Motorola, Inc. 2004  
For More Information On This Product,  
Go to: www.freescale.com  
 
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