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MRF183S

更新时间： 2024-02-25 22:11:36
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 射频
页数 文件大小 规格书
10页 225K
描述
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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MRF183S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF183S 数据手册

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by MRF183/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF MOSFET Line  
N–Channel Enhancement–Mode Lateral  
MOSFETs  
Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen-  
cies to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices  
makes ithem ideal for large–signal, common source amplifier applications in 28  
volt base station equipment.  
45 W, 1.0 GHz  
LATERAL N–CHANNEL  
BROADBAND  
RF POWER MOSFETs  
•
Guaranteed Performance at 945 MHz, 28 Volts  
Output Power – 45 Watts PEP  
Power Gain – 11.5 dB  
Efficiency – 33%  
IMD – 28 dBc  
D
•
Characterized with Series Equivalent Large–Signal  
Impedance Parameters  
•
•
•
S–Parameter Characterization at High Bias Levels  
Excellent Thermal Stability  
CASE 360B–01, STYLE 1  
(MRF183)  
100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles  
with 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 Watts CW  
G
CASE 360C–03, STYLE 1  
(MRF183S)  
S
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
Drain–Gate Voltage (RGS = 1 Meg Ohm)  
Gate–Source Voltage  
V
DGR  
65  
V
GS  
±20  
5
Drain Current – Continuous  
I
D
Total Device Dissipation @ T = 70°C  
Derate above 70°C  
P
D
86  
0.67  
W
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
– 65 to +200  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.5  
°C/W  
θJC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 6  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...10

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与MRF183S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF183SR1 MOTOROLA

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 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN
MRF184 MOTOROLA

获取价格

 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184R1 FREESCALE

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF184S MOTOROLA

获取价格

 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184SR1 FREESCALE

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF185 ASI

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 		RF POWER MOSFET
MRF185 MOTOROLA

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 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF185_02 MOTOROLA

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF186 FREESCALE

获取价格

 		The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFE
MRF186 MOTOROLA

获取价格

 		The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFE

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