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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLATPACK, R-CDFP-F2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 65 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFP-F2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF184 | MOTOROLA |
获取价格 |
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
|
| MRF184R1 | FREESCALE |
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N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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| MRF184S | MOTOROLA |
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LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
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| MRF184SR1 | FREESCALE |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
|
| MRF185 | ASI |
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RF POWER MOSFET |
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| MRF185 | MOTOROLA |
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LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
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| MRF185_02 | MOTOROLA |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
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| MRF186 | FREESCALE |
获取价格 |
The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFE |
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| MRF186 | MOTOROLA |
获取价格 |
The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFE |
|
| MRF187 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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