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MRF184R1 PDF预览

MRF184R1

更新时间： 2024-02-24 03:14:51
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12页 584K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF184R1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：118 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF184R1 数据手册

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ARCHIVED BY FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 2005  
ꢓ ꢔꢏ ꢔ ꢀꢔ ꢕꢖ  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Order this document  
by MRF184/D  
The RF MOSFET Line  
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ꢚ
ꢀ
ꢗ
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-  
cies to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices  
make them ideal for large–signal, common source amplifier applications in 28  
volt base station equipment.  
1.0 GHz, 60 W, 28 V  
LATERAL N–CHANNEL  
BROADBAND  
ꢁ
• Guaranteed Performance @ 945 MHz, 28 Volts  
Output Power = 60 Watts  
Power Gain = 11.5 dB  
Efficiency = 53%  
RF POWER MOSFETs  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large–Signal  
Impedance Parameters  
ꢀ
• S–Parameter Characterization at High Bias Levels  
CASE 360B–05, STYLE 1  
NI–360  
• 100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase  
Angles with 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 945 MHz, 60 Watts CW  
MRF184R1  
ꢂ
• In Tape and Reel. 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.  
CASE 360C–05, STYLE 1  
NI–360S  
MRF184SR1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
20  
Drain Current — Continuous  
I
D
7
Total Device Dissipation @ T = 70°C  
Derate above 70°C  
P
D
118  
0.9  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
– 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.1  
°C/W  
θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
(V = 0 Vdc, I = 1 mAdc)  
V
65  
–
–
–
–
–
1
1
Vdc  
µAdc  
µAdc  
(BR)DSS  
GS  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
(V = 28 Vdc, V = 0 Vdc)  
I
DSS  
DS  
GS  
Gate–Source Leakage Current  
(V = 20 Vd, V = 0 Vdc)  
I
–
GSS  
GS  
DS  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 10  
Motorola, Inc. 2002  
Archived 2005  
1234567...12

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与MRF184R1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF184S MOTOROLA

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 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184SR1 FREESCALE

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 		N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF185 ASI

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 		RF POWER MOSFET
MRF185 MOTOROLA

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 		LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF185_02 MOTOROLA

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 		N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF186 FREESCALE

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 		The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFE
MRF186 MOTOROLA

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 		The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFE
MRF187 MOTOROLA

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 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF187R3 MOTOROLA

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 		RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF187S MOTOROLA

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 		UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN

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