MRF185

更新时间： 2024-02-19 09:43:38

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RF POWER MOSFET

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MRF185 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF185 数据手册

MRF185

RF POWER MOSFET

DESCRIPTION:

The ASI MRF185 is a Silicon N-

channel enhancement mode lateral

MOSFET.

PACKAGE STYLE .385X.850 4LFG

FEATURES:

• High Gain, Rigged Device

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

65 V

V_DS

V_GS

P_DISS

T_J

±15 V

250 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.7 °C/W

T_STG

θ_JC

1 & 2 = DRAIN

3 & 4 = GATE

5 = SOURCE

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

BV_DSS

I_D= 1.0 µA

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

I_D= 300 mA

I_D= 3.0 A

I_DSS

I_GSS

V_GS= 0 V

V_GS= 20 V

V_DS= 26 V

V_GS= 3 V

V_DS= 10 V

1.0

µA

∆V_GS(Q)

V_DS(on)

g_fs

0.15

0.75

0.3

I_D= 3.0 A

1.6

C_oss

C_rss

4.6

V_DS= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

G_PS

V_DS= 28 V

P_out= 85 W f = 960 MHz

η_D

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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