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MRF19060LSR3

更新时间： 2024-01-06 11:09:23

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF19060LSR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.06
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF19060LSR3 数据手册

Document Number: MRF19060

Rev. 9, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

MRF19060LR3

MRF19060LSR3

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1900 to 2000 MHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier

applications.

• Typical CDMA Performance: 1960 MHz, 26 Volts

IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 7.5 Watts

1930-1990 MHz, 60 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 12.5 dB

Adjacent Channel Power —

885 kHz: -47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz: -55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz: -55 dBc @ 1 MHz BW

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 60 Watts CW

Output Power

Features

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF19060LR3

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF19060LSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

180

1.03

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.97

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

MRF19060LR3 MRF19060LSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF19060R3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19060S	NXP	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,65V V(BR)DSS,SOT-391BVAR
MRF19060SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19085	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085LR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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MRF19085LS	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN
MRF19085LSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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