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MRF19060R3

更新时间： 2024-02-21 00:31:39

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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描述
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF19060R3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.08
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF19060R3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF19060/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1.9 to 2.0 GHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier

applications.

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• Typical CDMA Performance: 1960 MHz, 26 Volts

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 7.5 Watts

1990 MHz, 60 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 12.5 dB

Adjacent Channel Power —

885 kHz: –47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz: –55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz: –55 dBc @ 1 MHz BW

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 60 Watts CW

CASE 465–06, STYLE 1

NI–780

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

MRF19060R3

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch

Reel.

CASE 465A–06, STYLE 1

NI–780S

MRF19060SR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T ≥ = 25°C

Derate above 25°C

180

1.03

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.97

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 5

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF19060 MRF19060R3 MRF19060SR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF19060S	NXP	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,65V V(BR)DSS,SOT-391BVAR
MRF19060SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19085	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085LR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085LR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085LS	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN
MRF19085LSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085LSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085R3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors

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