MRF184

更新时间： 2024-02-29 09:49:25

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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描述
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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MRF184 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF184 数据手册

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by MRF184/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications at frequen-

cies to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices

makes them ideal for large–signal, common source amplifier applications in 28

volt base station equipment.

60 W, 1.0 GHz

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

RF POWER MOSFETs

•

Guaranteed Performance @ 945 MHz, 28 Volts

Output Power = 60 Watts

Power Gain = 11.5 dB

Efficiency = 53%

•

Characterized with Series Equivalent Large–Signal

Impedance Parameters

•

S–Parameter Characterization at High Bias Levels

Excellent Thermal Stability

CASE 360B–01, STYLE 1

(MRF184)

Capable of Handling 30:1 VSWR @ 28 Vdc,

945 MHz

CASE 360C–03, STYLE 1

(MRF184S)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

±20

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 70°C

Derate above 70°C

118

0.9

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

– 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

1.1

°C/W

θJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0 V, I = 1 Adc)

–

Vdc

µAdc

(BR)DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

(V = 28 V, V = 0 V)

DSS

GSS

Gate–Source Leakage Current

(V = 20 V, V = 0 V)

–

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 2

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MRF184 MRF184S

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF184S	MOTOROLA	功能相似	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF6522-70	MOTOROLA	功能相似	RF Power Field Effect Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF184R1	FREESCALE	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF184S	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184SR1	FREESCALE	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF185	ASI	获取价格	RF POWER MOSFET
MRF185	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF185_02	MOTOROLA	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF186	FREESCALE	获取价格	The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFE
MRF186	MOTOROLA	获取价格	The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFE
MRF187	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF187R3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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