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MRF183R1

更新时间： 2024-02-07 08:18:06

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	334K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN

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MRF183R1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	86 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF183R1 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF183/D

The RF MOSFET Line

RF Power

MRF183R1

Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral

MOSFETs

MRF183LSR1

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices

make them ideal for large-signal, common source amplifier applications in 28

volt base station equipment.

1.0 GHz, 45 W, 28 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND

RF POWER MOSFETs

• Guaranteed Performance at 945 MHz, 28 Volts

Output Power — 45 Watts PEP

Power Gain — 11.5 dB

Efficiency — 33%

IMD — - 28 dBc

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal

Impedance Parameters

CASE 360B-05, STYLE 1

NI-360

• S-Parameter Characterization at High Bias Levels

MRF183R1

• 100% Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles

with 5:1 VSWR @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 Watts CW

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per

32 mm, 13 inch Reel.

CASE 360C-05, STYLE 1

NI-360S

MRF183LSR1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage (RGS = 1 Meg Ohm)

Gate-Source Voltage

DSS

DGR

Drain Current - Continuous

Total Device Dissipation @ T = 70°C

Derate above 70°C

0.67

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +200

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

1.5

°C/W

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 15

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF183R1 MRF183LSR1

 Motorola, Inc. 2003

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF183S	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF183SR1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN
MRF184	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184R1	FREESCALE	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF184S	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF184SR1	FREESCALE	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF185	ASI	获取价格	RF POWER MOSFET
MRF185	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
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