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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.21 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJD340T4 | ONSEMI |
完全替代  |
0.5 A，300 V，高电压，NPN 双极功率晶体管 |
|
| NJVMJD340T4G | ONSEMI |
完全替代 |
High Voltage Power Transistors |
|
| MJD340G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Power Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD350 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount Applications |
|
| MJD350 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD350 | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD350 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS |
|
| MJD350 | DIODES |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| MJD350 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
|
| MJD350 | TYSEMI |
获取价格 |
Load Formed for Surface Mount Application |
|
| MJD350 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-252 |
|
| MJD350-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS |
|
| MJD350-13 | DIODES |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
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