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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-2/3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.08 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJD350TF | FAIRCHILD |
功能相似  |
High Voltage Power Transistors |
|
| MJD350T4G | ONSEMI |
功能相似 |
High Voltage Power Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD350-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS |
|
| MJD350-13 | DIODES |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| MJD350G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Power Transistors |
|
| MJD350-I | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MJD350R | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| MJD350T4 | ONSEMI |
获取价格 |
0.5 A, 300 V High Voltage PNP Bipolar Power Transistor |
|
| MJD350T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS |
|
| MJD350T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
互补硅功率晶体管 |
|
| MJD350T4G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Power Transistors |
|
| MJD350TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Transistors |
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