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MJD350T4

更新时间： 2024-09-14 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 93K
描述
0.5 A, 300 V High Voltage PNP Bipolar Power Transistor

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MJD350T4 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：6.69
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MJD350T4 数据手册

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MJD340ꢀ(NPN),  
MJD350ꢀ(PNP)  
High Voltage Power  
Transistors  
DPAK for Surface Mount Applications  
www.onsemi.com  
Designed for line operated audio output amplifier, switchmode  
power supply drivers and other switching applications.  
Features  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
0.5 AMPERE  
300 VOLTS, 15 WATTS  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
• Electrically Similar to Popular MJE340 and MJE350  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
COLLECTOR  
2, 4  
COLLECTOR  
2, 4  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
1
1
Compliant  
BASE  
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
3
3
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Max  
300  
300  
3
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
EMITTER  
EMITTER  
V
CEO  
V
CB  
4
V
EB  
2
1
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
Total Power Dissipation  
I
C
0.5  
0.75  
3
I
CM  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
P
D
D
@ T = 25°C  
15  
0.12  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
@ T = 25°C  
1.56  
0.012  
W
W/°C  
A
Derate above 25°C  
AYWW  
J3x0G  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
ESD − Human Body Model  
HBM  
V
MJD340 (NPN)  
MJD350 (PNP)  
3B  
2
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
ESD − Machine Model  
MM  
V
MJD340 (NPN)  
MJD350 (PNP)  
M4  
M4  
WW = Work Week  
J3x0 = Device Code  
x= 4 or 5  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
June, 2016 − Rev. 12  
MJD340/D  
 
123456

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 		3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
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