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NJVMJD350T4G

更新时间： 2024-09-14 01:23:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 93K
描述
High Voltage Power Transistors

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NJVMJD350T4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：0.45
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：15 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

NJVMJD350T4G 数据手册

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MJD340ꢀ(NPN),  
MJD350ꢀ(PNP)  
High Voltage Power  
Transistors  
DPAK for Surface Mount Applications  
www.onsemi.com  
Designed for line operated audio output amplifier, switchmode  
power supply drivers and other switching applications.  
Features  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
0.5 AMPERE  
300 VOLTS, 15 WATTS  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
• Electrically Similar to Popular MJE340 and MJE350  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
COLLECTOR  
2, 4  
COLLECTOR  
2, 4  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
1
1
Compliant  
BASE  
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
3
3
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Max  
300  
300  
3
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
EMITTER  
EMITTER  
V
CEO  
V
CB  
4
V
EB  
2
1
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
Total Power Dissipation  
I
C
0.5  
0.75  
3
I
CM  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
P
D
D
@ T = 25°C  
15  
0.12  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
@ T = 25°C  
1.56  
0.012  
W
W/°C  
A
Derate above 25°C  
AYWW  
J3x0G  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
ESD − Human Body Model  
HBM  
V
MJD340 (NPN)  
MJD350 (PNP)  
3B  
2
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
ESD − Machine Model  
MM  
V
MJD340 (NPN)  
MJD350 (PNP)  
M4  
M4  
WW = Work Week  
J3x0 = Device Code  
x= 4 or 5  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
June, 2016 − Rev. 12  
MJD340/D  
 
123456

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NJVMJD350T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD350TF ONSEMI

完全替代

 0.5 A, 300 V High Voltage PNP Bipolar Power Transistor
MJD350T4 ONSEMI

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