5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.38 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 550 ns | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD41CT4(TO-251) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJD41CT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD41CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic |
|
| MJD41CTF | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
|
| MJD41R-HAF | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| MJD41V | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| MJD42 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier |
|
| MJD42_MJD42C | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
|
| MJD42C | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier |
|
| MJD42C | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
